MT41K128M16JT-125:K vs K4B4G1646E-BYK000 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K128M16JT-125:K par Micron Technology et K4B4G1646E-BYK000 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K128M16JT-125:K | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,75 | $0,56 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Memory Capacity | 2 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 128M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz (1600 MT/s data rate) | 800 MHz |
| Access Time (Clock Cycle) | 13.75 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Prefetch Architecture | 8n-bit | — |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA (BYK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Write Leveling | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| Access Time | — | 1.25 ns |