MT41K128M16JT-125:K vs K4B4G1646E-BYK000 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT41K128M16JT-125:K por Micron Technology e K4B4G1646E-BYK000 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

MT41K128M16JT-125:K ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT41K128M16JT-125:K K4B4G1646E-BYK000
Marca Micron Technology Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,75 $0,56
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Capacity 2 Gbit —
Organização da memória 128M x 16 256M x 16
Interface Parallel Parallel
Clock Frequency 800 MHz (1600 MT/s data rate) 800 MHz
Access Time (Clock Cycle) 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3)
Prefetch Architecture 8n-bit —
Encapsulamento 96-FBGA (8x14 mm) 96-FBGA (BYK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Self Refresh Auto self-refresh —
Write Leveling Supported —
Data Mask Supported —
On-Die Termination Dynamic ODT supported —
Asynchronous Reset Supported —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tamanho da memória — 4 Gbit
Speed Grade — DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle)
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data]
Number of Banks — [DATA_NEEDED: bank count]
Die Process — Samsung E-die
Recursos — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask
Access Time — 1.25 ns

Fichas técnicas e recursos

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