MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-125:E par Micron Technology et K4B4G1646D-BCK00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ ActifSamsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,10 | $5,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Latence CAS | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Boîtier | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Largeur du bus de données | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Débit de données | — | 1600 Mbps/pin |
| Tension d'alimentation | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |