MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16HA-125:E от Micron Technology и K4B4G1646D-BCK00 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ АктивенSamsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,10 | $5,90 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Задержка CAS | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Корпус | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Количество выводов | 96 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Диапазон рабочих температур | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Разрядность шины данных | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Скорость передачи данных | — | 1600 Mbps/pin |
| Напряжение питания | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Рабочая температура | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| Без галогенов | — | Yes |