MT41K256M16LY-107:N vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16LY-107:N par Micron Technology et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16LY-107:N ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16LY-107:N | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $1,80 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Fréquence d'horloge maximale | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Boîtier / Format | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| Style de montage | Surface Mount | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Débit de données | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Boîtier | — | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Latence CAS | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |