MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646D-BYH9 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16RE-125:D par Micron Technology et K4B4G1646D-BYH9 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActifSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,19 | $2,30 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| Débit de données | 1600 MT/s | 1333 Mbps |
| Latence CAS | 11 | Programmable |
| Boîtier | FBGA-96 (9x14 mm) | 96FBGA |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (TC) | 0 ~ 85 °C |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |