MT58L64L32FT-10 vs MT58L64L32PT7.5 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT58L64L32FT-10 par Micron Technology et MT58L64L32PT7.5 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT58L64L32FT-10 - 2Mb Sync Burst SRAM 10ns 66MHz | Micron
MT58L64L32FT-10 ✗ Fin de vieMicron Technology
MT58L64L32PT7.5 - 2Mbit Sync Burst SRAM 133MHz | Micron
MT58L64L32PT7.5 ✗ Fin de vieComparaison des spécifications
| Paramètre | MT58L64L32FT-10 | MT58L64L32PT7.5 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Fin de vie | Fin de vie |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $19,90 |
| Type de mémoire | SRAM - Synchronous Burst (Flow-Through SyncBurst) | SRAM - Synchronous (SYNCBURST Pipelined) |
| Taille de mémoire | 2 Mbit | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 32/36 (also 128K x 18) | 64K x 32 |
| Access Time | 10 ns | 4 ns |
| Fréquence d'horloge maximale | 66 MHz | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage VDD | 3.3 V (+0.3 V/-0.165 V) | — |
| Output Buffer Supply VDDQ | 2.5 V isolated or 3.3 V | — |
| Write Control | Individual BYTE WRITE enables | — |
| Standby Feature | SNOOZE MODE reduced-power standby | — |
| Data I/O | Common data inputs and data outputs | — |
| Burst Modes | Linear and interleaved burst address sequences | — |
| Boîtier | 100-TQFP (14 x 20.1 mm) | 100-TQFP (14 x 20.1 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +70C (commercial; -10IT variant industrial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Clock Frequency | — | 133 MHz |
| Supply Voltage Range | — | 3.135 V to 3.6 V |
| Lead Pitch | — | 0.5 mm |
| Memory Format | — | Volatile |
| I/O Type | — | LVTTL-compatible 3.3V |
| Manufacturer | — | Micron Technology (also listed under Samsung Semiconductor, Inc. marketplace listing) |