N25Q032A13EF4A0F vs N25Q256A13E12A0F Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de N25Q032A13EF4A0F par Micron Technology et N25Q256A13E12A0F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
N25Q032A13EF4A0F N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F ✓ Actif
Micron Technology
N25Q256A13E12A0F N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre N25Q032A13EF4A0F N25Q256A13E12A0F
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,25 $0,00
Type de mémoire FLASH - NOR Memory IC (Serial) NOR Flash, Serial SPI
Taille de mémoire 32 Mbit (4 MB) —
Interface SPI (Multi-I/O) —
Clock Frequency 108 MHz —
Tension d'alimentation 3 V (2.7 V to 3.6 V) 2.7 V to 3.6 V
Boîtier 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm 24-ball T-PBGA (6x8 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Read Modes Standard, Dual, Quad SPI —
Erase Granularity 4 KB subsector / 64 KB sector —
Grade Automotive —
Write Cycle Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] [DATA_NEEDED: data retention years]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature range] -40C to +125C
Access Time [DATA_NEEDED: access time] 8 ns (per FindIC listing)
Program/Erase Speed [DATA_NEEDED: page program time] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T&R) Tape & Reel (TR suffix)
Density — 256 Mbit (32 MB)
Organisation de la mémoire — 64M x 4 (Mouser listing); 32M x 8 per FindIC listing - see validation note
Max SPI Clock Frequency — 108 MHz
I/O Modes — Single, Dual, Quad I/O (Multiple I/O Serial Flash)
Technology — SLC (Single-Level Cell)
Sector Erase Size — 4 KB
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: ICC standby current]

Fiches techniques et ressources

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