N25Q032A13EF4A0F vs N25Q256A13E12A0F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок N25Q032A13EF4A0F от Micron Technology и N25Q256A13E12A0F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
N25Q032A13EF4A0F N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F ✓ Активен
Micron Technology
N25Q256A13E12A0F N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр N25Q032A13EF4A0F N25Q256A13E12A0F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,25 $0,00
Тип памяти FLASH - NOR Memory IC (Serial) NOR Flash, Serial SPI
Размер памяти 32 Mbit (4 MB) —
Интерфейс SPI (Multi-I/O) —
Clock Frequency 108 MHz —
Напряжение питания 3 V (2.7 V to 3.6 V) 2.7 V to 3.6 V
Корпус 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm 24-ball T-PBGA (6x8 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Read Modes Standard, Dual, Quad SPI —
Erase Granularity 4 KB subsector / 64 KB sector —
Grade Automotive —
Write Cycle Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] [DATA_NEEDED: data retention years]
Рабочая температура [DATA_NEEDED: temperature range] -40C to +125C
Access Time [DATA_NEEDED: access time] 8 ns (per FindIC listing)
Program/Erase Speed [DATA_NEEDED: page program time] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T&R) Tape & Reel (TR suffix)
Density — 256 Mbit (32 MB)
Организация памяти — 64M x 4 (Mouser listing); 32M x 8 per FindIC listing - see validation note
Max SPI Clock Frequency — 108 MHz
I/O Modes — Single, Dual, Quad I/O (Multiple I/O Serial Flash)
Technology — SLC (Single-Level Cell)
Sector Erase Size — 4 KB
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: ICC standby current]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену