NT5AD512M16B4-HR vs NT5AD512M16C4-JRI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16B4-HR par Nanya Technology et NT5AD512M16C4-JRI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16B4-HR | NT5AD512M16C4-JRI |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $43,10 | $75,58 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.2V | 1.2 V |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | TFBGA-96 |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Type de montage | — | Surface Mount |