NT5AD512M16C4-HR vs NT5AD512M16 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16C4-HR par Nanya Technology et NT5AD512M16 par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16C4-HR | NT5AD512M16 |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $43,10 | $73,75 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Débit de données | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Boîtier | FBGA-96 (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Density | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Operating Temperature (Commercial) | — | 0°C to +95°C |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40°C to +95°C |