NT5AD512M16C4-HRI vs NT5AD512M16C4-HR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16C4-HRI par Nanya Technology et NT5AD512M16C4-HR par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HRI - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HRI ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16C4-HRI | NT5AD512M16C4-HR |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $45,94 | $43,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 96-pin TFBGA | FBGA-96 (TFBGA) |
| Temperature Grade | Industrial (0°C to +95°C) | — |
| Débit de données | 3200 MT/s (H speed grade) | 1.333 GHz (DDR4-2666) |
| Latence CAS | 22 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Nombre de broches | — | 96 |