NT5CB256M16CP-DII vs NT5CB256M16CP-DI Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5CB256M16CP-DII par Nanya Technology et NT5CB256M16CP-DI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ Actif
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

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NT5CB256M16CP-DI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DI
Marque Nanya Technology Nanya Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,57 $6,50
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
I/O Voltage (VDDQ) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
Débit de données DDR3L-1600 (PC3L-12800) 1600 Mbps/pin (max)
Latence CAS CL11 —
tCK (min) 1.25 ns —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Interface SSTL-15 —
Boîtier 96-ball FBGA (9mm x 13mm) TFBGA-96
Plage de température de fonctionnement -40C to +95C (industrial) -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
Refresh Interval 7.8us at 85C, 3.9us at 95C —
RoHS Compliant Compliant
Tension d'alimentation — 1.35 V (DDR3L)
CAS Latency (CL) — 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
Write Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Additive Latency — 0-13
Lead-Free — Yes
Differential Clock Input — Yes (CK, CK#)
On-Die Termination (ODT) — Yes

Fiches techniques et ressources

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