NT5CB256M16CP-DII vs NT5CB256M16CP-DI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CB256M16CP-DII von Nanya Technology und NT5CB256M16CP-DI von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

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Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DI
Marke Nanya Technology Nanya Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,57 $6,50
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
I/O Voltage (VDDQ) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
Datenrate DDR3L-1600 (PC3L-12800) 1600 Mbps/pin (max)
CAS-Latenz CL11 —
tCK (min) 1.25 ns —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Schnittstelle SSTL-15 —
Gehäuse 96-ball FBGA (9mm x 13mm) TFBGA-96
Betriebstemperaturbereich -40C to +95C (industrial) -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
Refresh Interval 7.8us at 85C, 3.9us at 95C —
RoHS Compliant Compliant
Versorgungsspannung — 1.35 V (DDR3L)
CAS Latency (CL) — 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
Write Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Additive Latency — 0-13
Lead-Free — Yes
Differential Clock Input — Yes (CK, CK#)
On-Die Termination (ODT) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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