NT5CC256M16ER-EKT vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16ER-EKT par Nanya Technology et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16ER-EKT | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $22,00 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | DDR3L-1866 (1866 Mbps) | — |
| Latence CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Timing | 13-13-13 | — |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Interface | 16-bit | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes (dynamic) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Débit de données | — | 1866 Mbps/pin |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Nombre de broches | — | 96 |