NT5CC256M16ER-EKT vs K4B4G1646E-BYMA 比較

詳細な並列比較: NT5CC256M16ER-EKT メーカー: Nanya Technology および K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKT NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5CC256M16ER-EKT K4B4G1646E-BYMA
ブランド Nanya Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $22.00 $14.32
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Speed Grade DDR3L-1866 (1866 Mbps) —
CASレイテンシ 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Timing 13-13-13 —
パッケージ 96-ball TFBGA FBGA-96
動作温度範囲 0°C to +95°C —
インターフェース 16-bit —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes (dynamic) —
ZQ Calibration Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant Compliant
Clock Frequency — 933 MHz
データレート — 1866 Mbps/pin
動作温度 — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
実装タイプ — Surface Mount
ピン数 — 96

データシート&リソース

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