NT5CC256M16ER-EKT vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16ER-EKT от Nanya Technology и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKT NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT ✓ Активен
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5CC256M16ER-EKT K4B4G1646E-BYMA
Бренд Nanya Technology Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $22,00 $14,32
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Напряжение питания 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Speed Grade DDR3L-1866 (1866 Mbps) —
Задержка CAS 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Timing 13-13-13 —
Корпус 96-ball TFBGA FBGA-96
Диапазон рабочих температур 0°C to +95°C —
Интерфейс 16-bit —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes (dynamic) —
ZQ Calibration Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant Compliant
Clock Frequency — 933 MHz
Скорость передачи данных — 1866 Mbps/pin
Рабочая температура — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Тип монтажа — Surface Mount
Количество выводов — 96

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену