RTAX2000D-CQ352V vs RTAX2000D-1CQ352V Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de RTAX2000D-CQ352V par Microchip Technology et RTAX2000D-1CQ352V par Microchip Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Microchip Technology
RTAX2000D-CQ352V RTAX2000D-CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA CQFP352 | Microchip

RTAX2000D-CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA CQFP352 | Microchip

RTAX2000D-CQ352V ✓ Actif
Microchip Technology
RTAX2000D-1CQ352V RTAX2000D-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000D-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000D-1CQ352V ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre RTAX2000D-CQ352V RTAX2000D-1CQ352V
Marque Microchip Technology Microchip Technology
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2 560,00 $3 950,00
Family RTAX-S/SL and RTAX-DSP Radiation-Tolerant FPGAs —
Equivalent System Gates 2,000,000 —
Logic Cells 29,568 29,568
Configurable Logic Blocks (CLBs) 19,712 —
User I/O - Inputs 166 —
User I/O - Outputs 166 —
Supply Voltage (Core) 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) —
Technology CMOS, antifuse one-time programmable Digital CMOS, antifuse (nonvolatile)
Boîtier CQFP352 ceramic quad flat pack CQFP-352 (CQ352), ceramic
Terminal Pitch 0.500 mm —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration One-time programmable (antifuse) Live at power-up, single-chip, no external configuration device
Embedded Memory Embedded SRAM with built-in FIFO control logic Up to 540 kbits with optional EDAC protection
Radiation Tolerance Radiation-tolerant (space-flight applications) —
Application Domain Space-flight systems —
Commercial Baseline Family Actel/Microsemi Axcelerator —
Equivalent Gates — 2,000,000
CLBs — 19,712
Core Supply Voltage — 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V)
DSP Mathblocks — Up to 120
DSP MAC Performance — 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate
Total Ionizing Dose (Functional) — 300 krad (Si)
Total Ionizing Dose — 200 krad (Si)
Speed Grade — -1
Screening — RTAX-D (Condition A, tighter ICCA limits at 125C final electrical test)
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Fiches techniques et ressources

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