RTAX2000S-1CQ352V vs RTAX2000DL-1CQ352B Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de RTAX2000S-1CQ352V par Microchip Technology et RTAX2000DL-1CQ352B par Microchip Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Microchip Technology
RTAX2000S-1CQ352V RTAX2000S-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000S-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000S-1CQ352V ✓ Actif
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352B RTAX2000DL-1CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA, CQFP-352 | Microchip

RTAX2000DL-1CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA, CQFP-352 | Microchip

RTAX2000DL-1CQ352B ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre RTAX2000S-1CQ352V RTAX2000DL-1CQ352B
Marque Microchip Technology Microchip Technology
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $3 420,00
Equivalent System Gates 2,000,000 gates 2000000
Logic Cells 32,256 cells 29568
Configurable Logic Blocks (CLBs) 21,504 CLBs 19712
Process Technology Digital CMOS —
Speed Grade -1 —
Family RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGAs —
Boîtier CQ352 ceramic QFP, 352 pins CQFP-352 (ceramic quad flat pack)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Live at power-up, single-chip Live at power-up (antifuse, single chip)
Embedded Memory Embedded SRAM with built-in FIFO control logic 540 kbits (with optional EDAC protection)
Core Voltage [DATA_NEEDED: core voltage] —
I/O Voltage [DATA_NEEDED: I/O voltage] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Radiation Tolerance (TID) [DATA_NEEDED: TID rating] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Core Supply Voltage (Nominal) — 1.5 V
Core Supply Voltage Range — 1.425 V to 1.575 V
Maximum Combinatorial Delay — 0.930 ns
DSP Mathblocks (max) — 120
DSP MAC Performance — 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate
Technology — CMOS, antifuse (OTP, nonvolatile)
Total Ionizing Dose (Functional) — 300 krad (Si)
Total Ionizing Dose (Parametric) — 200 krad (Si)
Terminal Count — 352
Input / Output Terminals — 166 input, 166 output
Radiation Tolerance Class — Radiation-tolerant (space-flight)

Fiches techniques et ressources

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