SST25VF010A-33-4I-SAE vs SST25VF010A-33-4I-SAE-T Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de SST25VF010A-33-4I-SAE par Microchip Technology et SST25VF010A-33-4I-SAE-T par Microchip Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Microchip Technology
SST25VF010A-33-4I-SAE - 1Mbit SPI Flash 33MHz 8-SOIC | Microchip
SST25VF010A-33-4I-SAE ✓ ActifMicrochip Technology
SST25VF010A-33-4I-SAE-T - 1Mbit SPI Flash 33MHz 2.7-3.6V | Microchip
SST25VF010A-33-4I-SAE-T ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | SST25VF010A-33-4I-SAE | SST25VF010A-33-4I-SAE-T |
|---|---|---|
| Marque | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,55 | $0,49 |
| Type de mémoire | NOR Flash | Non-volatile NOR Flash |
| Taille de mémoire | 1 Mbit (128K x 8) | 1 Mbit (128K x 8) |
| Memory Organization | 128K x 8 | — |
| Type d'interface | SPI (4-wire, Mode 0 and Mode 3) | — |
| Maximum SPI Clock Frequency | 33 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Active Read Current (typical) | 10 mA | — |
| Standby Current (typical) | 15 uA | — |
| Sector Size | 4 KB | 4 KB uniform sectors |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per sector | — |
| Data Retention | >100 years | >= 100 years |
| Température de fonctionnement | -40C to +85C (industrial) | — |
| Boîtier | 8-SOIC (SAE, 0.150") | 8-SOIC (SAE, 0.150") |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | Sectored SuperFlash split-gate CMOS | — |
| Write Protection | Hardware WP# pin and software Status Register | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Interface | — | SPI (Mode 0 and Mode 3) |
| Fréquence d'horloge maximale | — | 33 MHz (up to 80 MHz in high-speed mode per datasheet) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Active Read Current | — | 10 mA (typical at 33 MHz) |
| Standby Current | — | 8 uA (typical) |
| Program/Erase Cycles | — | >= 100,000 per sector |
| Block Erase Sizes | — | 32 KB and 64 KB |
| Access Time | — | 12 ns |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40C to +85C (Industrial -4I grade) |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free / RoHS Compliant |
| Technology | — | SuperFlash split-gate cell with thick-oxide tunneling injector |