UCC21521ADWR vs UCC21550BDWR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21521ADWR par Texas Instruments et UCC21550BDWR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21521ADWR UCC21521ADWR - 5.7kVrms 4A/6A Isolated Gate Driver | TI

UCC21521ADWR - 5.7kVrms 4A/6A Isolated Gate Driver | TI

UCC21521ADWR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21521ADWR UCC21550BDWR
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,41 $0,88
Product Type Isolated dual-channel gate driver —
Canaux 2 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5700 Vrms (reinforced) —
Isolation Technology Capacitive coupling —
UVLO Threshold Option 8 V —
Broche d'activation Yes —
Input Configuration Dual input, inverting / non-inverting —
Driver Configuration Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Dead Time Control Programmable —
Boîtier 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Marking Code UCC21521A —
Configuration de sortie — Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge)
Isolation Type — Capacitive coupling, reinforced isolation
Isolation Voltage — 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) — > 125 V/ns
VDD Output Supply Range — Up to 25 V
UVLO Threshold — 8 V (VDD UVLO)
Programmable Dead Time — Yes
Disable Function — Yes
Junction Temperature Range — -40 C to +150 C
Driven Devices — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT

Fiches techniques et ressources

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