UCC21521ADWR vs UCC21550BDWR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21521ADWR por Texas Instruments e UCC21550BDWR por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
UCC21521ADWR UCC21521ADWR - 5.7kVrms 4A/6A Isolated Gate Driver | TI

UCC21521ADWR - 5.7kVrms 4A/6A Isolated Gate Driver | TI

UCC21521ADWR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21521ADWR UCC21550BDWR
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,41 $0,88
Product Type Isolated dual-channel gate driver —
Canais 2 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5700 Vrms (reinforced) —
Isolation Technology Capacitive coupling —
UVLO Threshold Option 8 V —
Pino de habilitação Yes —
Input Configuration Dual input, inverting / non-inverting —
Driver Configuration Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Dead Time Control Programmable —
Encapsulamento 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Marking Code UCC21521A —
Configuração de saída — Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge)
Isolation Type — Capacitive coupling, reinforced isolation
Isolation Voltage — 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) — > 125 V/ns
VDD Output Supply Range — Up to 25 V
UVLO Threshold — 8 V (VDD UVLO)
Programmable Dead Time — Yes
Disable Function — Yes
Junction Temperature Range — -40 C to +150 C
Driven Devices — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT

Fichas técnicas e recursos

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