UCC21530 vs UCC21540QDWKRQ1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21530 par Texas Instruments et UCC21540QDWKRQ1 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21530 UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21530 UCC21540QDWKRQ1
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,75 $2,21
Canaux 2 (isolated dual-channel) —
Peak Output Current (Source) 4 A —
Peak Output Current (Sink) 6 A —
Isolation Type Capacitive, reinforced Reinforced, capacitive coupling
Isolation Rating 5700 Vrms —
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) 125 V/ns minimum —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Channel-to-Channel Spacing 3.3 mm 3.3 mm minimum (DWK package)
Broche d'activation Yes —
Programmable Dead Time Yes (DT pin) —
UVLO Yes, input and output sides 8 V (secondary side)
Target Power Devices IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay typ] —
Boîtier SOIC-14 (DWK), surface mount 14-SOIC (DWK)
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] Wide temperature range (automotive)
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD range] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 2
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 6 A
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, IGBT, GaN
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Automotive Qualification — AEC-Q100
Type de montage — Surface Mount

Fiches techniques et ressources

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