UCC21530 vs UCC21540QDWKRQ1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de UCC21530 por Texas Instruments y UCC21540QDWKRQ1 por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
UCC21530 UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 - 4A/6A 5.7kVRMS Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21530 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro UCC21530 UCC21540QDWKRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,75 $2,21
Canales 2 (isolated dual-channel) —
Peak Output Current (Source) 4 A —
Peak Output Current (Sink) 6 A —
Isolation Type Capacitive, reinforced Reinforced, capacitive coupling
Isolation Rating 5700 Vrms —
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) 125 V/ns minimum —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Channel-to-Channel Spacing 3.3 mm 3.3 mm minimum (DWK package)
Patilla de habilitación Yes —
Programmable Dead Time Yes (DT pin) —
UVLO Yes, input and output sides 8 V (secondary side)
Target Power Devices IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay typ] —
Encapsulado SOIC-14 (DWK), surface mount 14-SOIC (DWK)
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] Wide temperature range (automotive)
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD range] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 2
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 6 A
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, IGBT, GaN
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Automotive Qualification — AEC-Q100
Tipo de montaje — Surface Mount

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