UCC21550AQDWKRQ1 vs UCC21550ADWR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21550AQDWKRQ1 par Texas Instruments et UCC21550ADWR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550ADWR
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,20 $1,19
Product Type Reinforced isolated dual-channel gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Number of Channels 2 2 (dual)
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
Isolation Technology Capacitive coupling —
Configuration Two low-side, two high-side, or half-bridge Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Dead Time Programmable via DT pin Programmable
Disable Function Yes (DIS pin) Yes (DISABLE pin)
Input Threshold Logic TTL and CMOS compatible —
Target Switch Types Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Qualification Automotive (Q1) —
Boîtier 14-SOIC (DWK) 16-SOIC (DW)
Part Marking 21550AQ —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Supply Voltage Range (VDD) [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range] —
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
CMTI — > 125 V/ns
Max VDD Output Supply — 25 V
UVLO Threshold Option — 5 V
Driven Devices — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Junction Temperature Range — -40C to +150C
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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