UCC21550BDWR vs UCC21550AQDWKRQ1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21550BDWR par Texas Instruments et UCC21550AQDWKRQ1 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21550BDWR UCC21550AQDWKRQ1
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $2,20
Configuration de sortie Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation —
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) —
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes Yes (DIS pin)
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
Boîtier 16-SOIC (DW) 14-SOIC (DWK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Product Type — Reinforced isolated dual-channel gate driver
Number of Channels — 2
Isolation Technology — Capacitive coupling
Configuration — Two low-side, two high-side, or half-bridge
Dead Time — Programmable via DT pin
Input Threshold Logic — TTL and CMOS compatible
Target Switch Types — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Qualification — Automotive (Q1)
Part Marking — 21550AQ
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Supply Voltage Range (VDD) — [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range]

Fiches techniques et ressources

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