UCC21550BDWR vs UCC21550AQDWKRQ1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21550BDWR por Texas Instruments e UCC21550AQDWKRQ1 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21550BDWR UCC21550AQDWKRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,88 $2,20
Configuração de saída Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation —
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) —
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes Yes (DIS pin)
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
Encapsulamento 16-SOIC (DW) 14-SOIC (DWK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Product Type — Reinforced isolated dual-channel gate driver
Number of Channels — 2
Isolation Technology — Capacitive coupling
Configuration — Two low-side, two high-side, or half-bridge
Dead Time — Programmable via DT pin
Input Threshold Logic — TTL and CMOS compatible
Target Switch Types — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Qualification — Automotive (Q1)
Part Marking — 21550AQ
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Supply Voltage Range (VDD) — [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range]

Fichas técnicas e recursos

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