UCC21550Q-Q1 vs UCC21521DWR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21550Q-Q1 par Texas Instruments et UCC21521DWR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21550Q-Q1 UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 ✓ Actif
Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21550Q-Q1 UCC21521DWR
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,10 $2,15
Product Type Reinforced isolated dual-channel gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Number of Channels 2 —
Isolation Rating 5000 Vrms (reinforced) 5700 Vrms
Isolation Technology Capacitive coupling Capacitive coupling
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Programmable Dead Time Yes (single resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Température de fonctionnement -40C to +150C -40C to +125C
Boîtier 16-SOIC (DW) SOIC-16 (DW)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified (Q1) —
Disable Function Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: VDD range] —
Channel Count — 2
CMTI — 100 V/ns (minimum)
Propagation Delay — 19 ns (typical)
Delay Matching — 5 ns (maximum)
Pulse-Width Distortion — 6 ns (maximum)
Minimum Pulse Width — 10 ns
Max Switching Frequency — 5 MHz
Input Threshold — TTL and CMOS compatible (3.3 V logic)
Enable / Disable Pin — Yes (DIS)

Fiches techniques et ressources

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