W25M512JVEIQ vs AT45DB041D-SU Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de W25M512JVEIQ par Winbond et AT45DB041D-SU par Renesas Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre W25M512JVEIQ AT45DB041D-SU
Marque Winbond Renesas Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,64 $0,92
Type de mémoire FLASH - NOR Memory IC (Multichip Package) DataFLASH NOR
Taille de mémoire 512 Mbit (64 MB) —
Organisation de la mémoire 64M x 8 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
Interface SPI, Dual SPI, Quad SPI SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
Max Clock Frequency 104 MHz —
Operating Voltage 3V / 3.3V —
Access Time 7 ns —
Sector Size 4KB Uniform Sector —
Boîtier 8-WSON (8mm x 6mm) with exposed pad 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: Data retention] 20 years minimum
Write Protect Hardware /WP pin —
Hold Pin /HOLD supported —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] —
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
Fréquence d'horloge maximale — 66 MHz
Tension d'alimentation — 2.7 V to 3.6 V
SRAM Data Buffers — 2 x 264 bytes
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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