W25M512JVEIQ vs AT45DB041D-SU 비교
다음의 상세 나란히 비교: W25M512JVEIQ 제조: Winbond 및 AT45DB041D-SU 제조: Renesas Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W25M512JVEIQ | AT45DB041D-SU |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Renesas Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.64 | $0.92 |
| 메모리 유형 | FLASH - NOR Memory IC (Multichip Package) | DataFLASH NOR |
| 메모리 크기 | 512 Mbit (64 MB) | — |
| 메모리 구성 | 64M x 8 | 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) |
| 인터페이스 | SPI, Dual SPI, Quad SPI | SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) |
| Max Clock Frequency | 104 MHz | — |
| Operating Voltage | 3V / 3.3V | — |
| Access Time | 7 ns | — |
| Sector Size | 4KB Uniform Sector | — |
| 패키지 | 8-WSON (8mm x 6mm) with exposed pad | 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data retention] | 20 years minimum |
| Write Protect | Hardware /WP pin | — |
| Hold Pin | /HOLD supported | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Density | — | 4 Mbit (4,325,376 bits) |
| 최대 클록 주파수 | — | 66 MHz |
| 공급 전압 | — | 2.7 V to 3.6 V |
| SRAM Data Buffers | — | 2 x 264 bytes |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Endurance | — | 100,000 program/erase cycles per page |
| Security Register | — | 128 bytes |
| Lead-Free | — | Yes |