W29N01HVBINF-TR vs W29N01HVBINF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de W29N01HVBINF-TR par Winbond et W29N01HVBINF par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre W29N01HVBINF-TR W29N01HVBINF
Marque Winbond Winbond
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $1,21
Type de mémoire Non-volatile NAND Flash (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
Density 1 Gbit (128 MB) —
Organisation de la mémoire x8 (8-bit multiplexed I/O bus) 128M x 8 (1 page = 2112 B, 1 block = 64 pages)
Interface Parallel ONFI 1.0 NAND Parallel asynchronous x8
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical) —
Random Access Time 20 ns —
Page Size 2048 + 64 bytes 2112 bytes (2048 data + 64 spare)
Block Size [DATA_NEEDED: block size in pages] 128 KB (64 pages x 2112 bytes)
ECC Requirement 4-bit ECC per 528 bytes —
Program/Erase Cycles 100,000 cycles (SLC typical) —
Boîtier 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: industrial temp range] -40 to 85 degrees C (Industrial)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Compliance RoHS compliant, Halogen-Free —
Packaging Tape and Reel (TR suffix) —
Taille de mémoire — 1 Gbit (128 M x 8)
Technology — ONFI 1.0 compliant SLC NAND
Tension d'alimentation — 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical)
Page Read Access Time — 25 ns (typical)
Number of Blocks — 1024 blocks
Page Program Time — 250 us typical
Block Erase Time — 2 ms typical
ECC Support — On-chip 4-bit ECC per 528 bytes
Endurance — 100 K P/E cycles per block (SLC)
Data Retention — 10 years typical
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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