W29N01HVBINF-TR vs W29N01HVBINF 比較

詳細な並列比較: W29N01HVBINF-TR メーカー: Winbond および W29N01HVBINF メーカー: Winbond。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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W29N01HVBINF-TR W29N01HVBINF-TR - 1Gb 3V SLC NAND Flash, 63-VFBGA | Winbond

W29N01HVBINF-TR - 1Gb 3V SLC NAND Flash, 63-VFBGA | Winbond

W29N01HVBINF-TR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ W29N01HVBINF-TR W29N01HVBINF
ブランド Winbond Winbond
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.62 $1.21
メモリタイプ Non-volatile NAND Flash (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
Density 1 Gbit (128 MB) —
メモリ構成 x8 (8-bit multiplexed I/O bus) 128M x 8 (1 page = 2112 B, 1 block = 64 pages)
インターフェース Parallel ONFI 1.0 NAND Parallel asynchronous x8
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical) —
Random Access Time 20 ns —
Page Size 2048 + 64 bytes 2112 bytes (2048 data + 64 spare)
Block Size [DATA_NEEDED: block size in pages] 128 KB (64 pages x 2112 bytes)
ECC Requirement 4-bit ECC per 528 bytes —
Program/Erase Cycles 100,000 cycles (SLC typical) —
パッケージ 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm
動作温度 [DATA_NEEDED: industrial temp range] -40 to 85 degrees C (Industrial)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Compliance RoHS compliant, Halogen-Free —
Packaging Tape and Reel (TR suffix) —
メモリサイズ — 1 Gbit (128 M x 8)
Technology — ONFI 1.0 compliant SLC NAND
電源電圧 — 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical)
Page Read Access Time — 25 ns (typical)
Number of Blocks — 1024 blocks
Page Program Time — 250 us typical
Block Erase Time — 2 ms typical
ECC Support — On-chip 4-bit ECC per 528 bytes
Endurance — 100 K P/E cycles per block (SLC)
Data Retention — 10 years typical
RoHS ステータス — Compliant

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