WT:A vs MT53E1G32D2FW-046 WT:B Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de WT:A par Micron Technology et MT53E1G32D2FW-046 WT:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 WT:B MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre WT:A MT53E1G32D2FW-046 WT:B
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,85 $98,44
Type de mémoire Mobile LPDDR4 SDRAM Volatile, Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDRAM)
Density 48 Gbit (6 GB) —
Organisation de la mémoire 1536M x 32 1G x 32
Maximum Data Rate 2.133 GHz —
Speed Bin Suffix -046 (2133 MHz) —
Supply Voltage VDD1 1.8 V (typ, JEDEC LPDDR4) —
Supply Voltage VDD2 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4) 1.1 V
Supply Voltage VDDQ 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4) 1.1 V (LPDDR4X) / 1.8 V (LPDDR4)
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature grade] -25C to +85C
Boîtier 200-ball TFBGA 200-ball TFBGA (10 mm x 14.5 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Interface LPDDR4 command/address + 32-bit DQ —
JEDEC Standard JESD209-4 (LPDDR4) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Refresh Auto-refresh and self-refresh per JEDEC —
Memory Capacity — 32 Gbit (4 GB)
Interface / Bus Width — Parallel, 32-bit
Clock Frequency (max) — 2.133 GHz (2133 MHz)
Data Rate (per pin) — 4266 MT/s
Clock Access Time (tCK) — 3.5 ns
Speed Bin — -046
Die Configuration — Dual-Die Package (DDP)
On-Die Features — Auto precharge, Data mask, ZQ calibration, Write leveling, Built-in temperature sensor, Asynchronous reset

Fiches techniques et ressources

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