1ED020I12B2XUMA1 vs 1EDI20I12MFXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED020I12B2XUMA1 מאת Infineon ו 1EDI20I12MFXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED020I12B2XUMA1 1EDI20I12MFXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) —
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms —
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns 300 ns
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
מארז PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8-51 (8-pin DSO, 4 mm creepage)
Creepage Distance 8 mm —
טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) —
Compliance RoHS compliant —
פונקציה — Isolated single-channel high-side gate driver
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer)
Output Current (Source/Sink) — 2 A peak
Active Miller Clamp Current — 2 A
Maximum Operating Voltage (Switch side) — 1200 V
Input Logic — Inverting / Non-inverting
תצורת מוצא — Single high-side driver
Minimum Creepage — 4 mm
Short Circuit Protection — Yes (clamping)
Supply Voltage (Secondary) — [DATA_NEEDED: secondary supply voltage range]
CMTI — [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity]
UVLO — Yes (secondary side)
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר