1EDN7136UXTSA1 vs 2EDN7434RXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7136UXTSA1 מאת Infineon ו 2EDN7434RXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDN7434RXTMA1 2EDN7434RXTMA1 - 4A Dual Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7434RXTMA1 - 4A Dual Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7434RXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7136UXTSA1 2EDN7434RXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
מספר יציאות 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature]
מארז TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes (per Infineon product family convention) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — EiceDRIVER 2EDN
Driver Configuration — Dual-channel low-side
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Rated Output Current — 4 A
Output Resistance (Low) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron low]
Output Resistance (High) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron high]
Propagation Delay (Typ.) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL, non-inverting
Absolute Max Input Voltage — -12 V to +22 V
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VDD range]
Active Output Voltage Clamping — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר