1EDN7550BXTSA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7550BXTSA1 מאת Infineon ו 1ED3142MC12HXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7550BXTSA1 1ED3142MC12HXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] 40 ns
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
טמפרטורת צומת פעולה -40 °C to +150 °C —
מארז PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
סטטוס RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
מספר יציאות — 2 (separate source/sink)
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר