2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL5013U2DXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL5023U2DXTMA1 מאת Infineon ו 2EDL5013U2DXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Driver Type Non-Inverting —
מספר יציאות 2 —
Bootstrap Voltage Rating 120 V 120 V max
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) 2
Input Logic TTL-compatible Non-Inverting
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
מארז PG-TSNP-12-5 PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -40C to +125C (typical industrial range) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
תצורת מוצא — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.4 ns
Fall Time (typ.) — 3.5 ns
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
Bootstrap Diode — Integrated
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר