BSC011N03LSATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC011N03LSATMA1 מאת Infineon ו BSC0501NSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC011N03LSATMA1 | BSC0501NSIATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon |
| Product Series | OptiMOS 30V | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 37 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 100 A (TC) | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.1 mOhm (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 25V/30V |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 50 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Technology | — | Trench-gate OptiMOS 5 |