BSC034N06NSATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC034N06NSATMA1 מאת Infineon ו BSC097N06NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC034N06NSATMA1 | BSC097N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: IDM peak value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | 74 W | 36 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (Trench) |
| מארז | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (Unlimited) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 46 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Avalanche Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |