BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC050NE2LSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC052N08NS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC050NE2LSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC052N08NS5ATMA1 | BSC050NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC052N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 25V (trench) |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5-3.0 V | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C | — | 39 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 5 mOhm |
| R_DS(on) typical at V_GS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 28 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C |