BSC059N04LSGATMA1 vs BSC050N03LSGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC059N04LSGATMA1 מאת Infineon ו BSC050N03LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC059N04LSGATMA1 | BSC050N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 73 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 16 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 1.2 V to 2.0 V (typ) | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C | -55 C to +150 C |
| מארז | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC050N03LSGATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 80 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 5 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |