BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC060N10NS3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC117N08NS5ATMA1 מאת Infineon ו BSC060N10NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC117N08NS5ATMA1 | BSC060N10NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| רמת MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 14.9 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6 mOhm |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +150 C |
| נטול הלוגנים | — | [DATA_NEEDED: halogen status] |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss value] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |