BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ017NE2LS5IATMA1 מאת Infineon ו BSC097N06NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSZ017NE2LS5IATMA1 | BSC097N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | 1.7 mΩ | — |
| On-Resistance Test Current | 20 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V @ 250 µA | — |
| Total Gate Charge Qg | 30 nC @ VGS=10V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2000 pF @ VDS=12V | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 50 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55°C to +150°C | -55C to +150C |
| מארז | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Series / Family | OptiMOS 5 25V | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 46 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM peak value] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 36 W |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Technology | — | OptiMOS 5 (Trench) |
| רמת MSL | — | 1 (Unlimited) |
| Avalanche Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |