BTS426L1E3062ABUMA1 vs BTS426L1E3062AAUMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BTS426L1E3062ABUMA1 מאת Infineon ו BTS426L1E3062AAUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BTS426L1E3062ABUMA1 - 5.8A 12V Smart High-Side Switch | Infineon
BTS426L1E3062ABUMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | BTS426L1E3062ABUMA1 | BTS426L1E3062AAUMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Product Type | Smart High-Side Power Switch (PROFET) | — |
| Manufacturer Series | Classic PROFET 12V | — |
| טופולוגיה | 1:1 N-Channel High-Side | N-Channel Vertical Power FET with Charge Pump |
| Typical R_DS(on) | 5 mΩ | — |
| זרם מוצא מקסימלי | 5.8 A | — |
| Nominal Supply Voltage | 12 V | — |
| Operating Supply Voltage Range | [DATA_NEEDED: Vs operating range] | — |
| מארז | PG-TO263-5-2 (D2PAK, 4 leads + tab) | PG-TO263-5-2 (DPAK-5, surface mount) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -40 °C to +150 °C (TJ) | — |
| Fault Protection | Current Limiting (Fixed), Open Load Detection, Overtemperature, Short Circuit, Overvoltage (load dump), Reverse Battery | — |
| Diagnostic Output | Yes (status feedback) | Yes (ST pin, ground-referenced feedback) |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified (PROFET 12V family) | AEC-Q100 (per Classic PROFET 12V family) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per distributor listings) | — |
| Demagnetization | Fast (designed for inductive loads) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | Classic PROFET 12V |
| פונקציה | — | Smart High-Side Power Switch |
| מספר יציאות | — | 1 |
| תצורת מוצא | — | High-Side |
| Typical On-State Resistance (RDS(on)) | — | 5 mΩ |
| Continuous Load Current | — | 7 A |
| Nominal Operating Voltage | — | 12 V (automotive) |
| Input Type | — | CMOS-compatible, ground-referenced |
| Embedded Protections | — | Overload, Thermal Shutdown, Overvoltage Clamp, ESD |
| Technology | — | Smart SIPMOS, monolithic |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: exact Tj limit per datasheet section] |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |