DS1249AB-70IND vs DS1249AB-70IND+ השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של DS1249AB-70IND מאת Analog Devices ו DS1249AB-70IND+ מאת Analog Devices. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | DS1249AB-70IND | DS1249AB-70IND+ |
|---|---|---|
| מותג | Analog Devices | Analog Devices |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| גודל זיכרון | 2 Mbit (262,144 x 8) | 2 Mbit (2,097,152 bits) |
| ארגון | 262,144 words x 8 bits | 256K x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns (max) |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Write Cycle Endurance | Unlimited writes | — |
| Data Retention | 10 years minimum (no external power) | 10 years (typical, with internal lithium cell) |
| Backup Mechanism | Internal lithium energy cell + VCC monitor | — |
| Write Protection | Automatic on VCC out-of-tolerance | Automatic on VCC out-of-tolerance |
| Operating Voltage (VCC) | 5 V (typical NVSRAM range) | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +85C (industrial, -IND suffix) | — |
| מארז | 32-EDIP (Extended DIP module, 0.600 inch / 15.24 mm) | — |
| סוג הרכבה | Through-Hole (DIP module) | Through-Hole (DIP module with socket) |
| סטטוס RoHS | Contains lithium - subject to special handling rules | Compliant (per Maxim Integrated product page) |
| Technology | Low-power CMOS | — |
| Write Cycle Time | — | 70 ns (word write, no write delay) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V ±10% (typical 4.5 V to 5.5 V) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40 °C to +85 °C (industrial, -IND suffix) |
| מארז / Case | — | 32-EDIP (Extended DIP, 0.600 in / 15.24 mm) |
| מספר פינים | — | 32 |
| Built-in Battery | — | Yes (internal lithium energy source) |
| Endurance | — | Unlimited SRAM read/write cycles |
| Shipping Regulation | — | UN3481 PI970 (lithium battery - air/sea per IATA) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Lead-free (RoHS compliant) |