EP1C20F400C8 vs EP1C20F40017 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP1C20F400C8 מאת Altera ו EP1C20F40017 מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP1C20F400C8 | EP1C20F40017 |
|---|---|---|
| מותג | Altera | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | Obsolete |
| Series | Cyclone I | — |
| Logic Elements | 20,060 LE | 20,060 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 2,006 | — |
| Embedded Memory | 294,912 bits (288 Kbit) | — |
| Embedded Multipliers | Embedded 18 × 18 blocks | — |
| Maximum User I/O | 301 | — |
| Process Technology | 130 nm CMOS (SRAM-based) | 0.13 µm SRAM |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | 1.5 V | — |
| I/O Supply Voltages | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V | — |
| PLLs | 2 (one per device quadrant) | 2 |
| Maximum Internal Frequency | 275.03 MHz (typical) | — |
| מארז | 400-ball FBGA (FineLine BGA), 21 × 21 mm, 1.0 mm pitch | FBGA-400 (FineLine BGA) |
| Configuration Modes | Passive Serial (PS), Active Serial (AS), JTAG | — |
| Operating Temperature (Commercial) | 0 °C to +85 °C | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Configuration Memory | SRAM (volatile, reload required at power-up) | — |
| Family | — | Cyclone |
| Embedded Memory (bits) | — | 294,912 |
| M4K RAM Blocks | — | 64 |
| Maximum User I/O Pins | — | 301 |
| Speed Grade | — | -17 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.5 V |
| I/O Voltage Standards | — | LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL, LVDS |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Configuration Method | — | Serial (AS mode) or JTAG |
| טמפרטורת פעולה | — | 0 °C to +85 °C (commercial) |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount (BGA) |