EP3C120F780C8NAE vs EP3C120F780I7N השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3C120F780C8NAE מאת Altera ו EP3C120F780I7N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP3C120F780C8NAE | EP3C120F780I7N |
|---|---|---|
| מותג | Altera | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | פעיל |
| Family | Cyclone III | — |
| Logic Elements | 119,088 | — |
| Embedded Memory (bits) | 3,981,312 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 531 | 288 |
| PLLs | 4 | 4 |
| Maximum User I/O Pins | 531 | 531 |
| Speed Grade | 8 (commercial) | I7 (industrial, fast) |
| מארז | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-ball FBGA (F780), 1.0 mm pitch, 23 x 23 mm |
| Package Pitch | 1.0 mm | — |
| Package Size | 29 x 29 mm | — |
| Process Node | 65 nm | — |
| Core Voltage | 1.2 V (typ) | 1.2 V |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +85C (industrial) | -40 °C to +100 °C (Industrial) |
| Configuration Modes | JTAG, AS, AP, PS | AS, AP, FPP, JTAG |
| סטטוס RoHS | Pb-free (lead-free per 'N' suffix) | Compliant |
| Memory Interfaces | DDR, DDR2, QDR II SRAM | — |
| Series | — | Cyclone III |
| Logic Elements (LEs) | — | 119,088 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 7,443 |
| Embedded Memory Bits | — | 3,981,312 |
| M9K Memory Blocks | — | 432 |
| Process Technology | — | 65 nm TSMC low-power |
| Maximum Internal Frequency | — | 472 MHz |