H5AN8G8NAFR-UHC vs H5AN8G8NCJR-PBC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NAFR-UHC מאת SK hynix ו H5AN8G8NCJR-PBC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NAFR-UHC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| קצב נתונים | 2400 Mbps/pin (PC2400) | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (DDR4 standard) | 1.2 V |
| ממשק | CMOS, synchronous | — |
| מארז | FBGA-78 (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Family | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC | — |
| Speed Grade Suffix | UHC | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Lead-Free & Halogen-Free |
| Application Class | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Auto-refresh and self-refresh |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gb (1 GB) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| תכונות | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |