IAUC100N04S6N028ATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC100N04S6N028ATMA1 מאת Infineon ו BSC014N04LSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUC100N04S6N028ATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 40V | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 400 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 2.8 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 1.5 V to 2.5 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | 62 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| מארז | PG-TDSON-8 (TDSON-8) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| רמת MSL | — | 1 (unlimited) |