IAUC120N06S5L032ATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC120N06S5L032ATMA1 מאת Infineon ו BSC0504NSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUC120N06S5L032ATMA1 BSC0504NSIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (60 V) —
סוג טרנזיסטור N-Channel, Enhancement Mode N-channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 120 A —
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) 3.2 mOhm —
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) 94 W —
מארז PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8-6
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C (T_j) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology OptiMOS 5 Trench —
AEC-Q101 Qualified Yes —
סטטוס RoHS Compliant unknown
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge Q_G [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] —
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
מספר פינים — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
מתח סף שער — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
התנגדות תרמית — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר